申请(专利)号：CN201810083469.4

申请日：2018.01.29

申请公布号：CN108010746A

公开公告日：2018.05.08

主分类号：H01G11/30(2013.01)I

分类号：H01G11/30(2013.01)I; H01G11/32(2013.01)I; H01G11/26(2013.01)I; H01G11/86(2013.01)I;

摘要：一种用于柔性超级电容器电极的碳布表面修饰方法，包括以下步骤：S1：先将碳布置于含Zn2+的培养液中进行反应，制备得到含ZnO纳米阵列的碳布，再洗涤、干燥；S2：再将S1制备得到的含ZnO纳米阵列的碳布置于含2‑甲基咪唑的培养液中进行反应，制备得到含ZnO@ZIF‑8纳米阵列的碳布，再洗涤、干燥、煅烧，制备得到表面负载ZnO@ZnO/C纳米阵列的碳布；S3：最后将S2制备得到的表面负载ZnO@ZnO/C纳米阵列的碳布置于含铁系元素M的盐溶液中进行反应，制备得到负载M(OH)X NPs/C NPs纳米阵列的碳布，再洗涤、干燥、煅烧，制备得到负载铁系金属氧化物MOX1 NPs/C NPs或MOX2 NPs/C NPs纳米阵列的碳布。本发明制备得到的表面修饰的碳布具有较高的赝电容性质，明显改善了目前赝电容材料循环稳定性差的缺陷。

申请权利人：南昌航空大学;

发明设计人：陈德志; 周帅; 权红英;