申请(专利)号： CN201711399168.4

申请日： 2017.12.22

申请公布号： CN108075022A

公开公告日： 2018.05.25

主分类号： H01L33/38(2010.01)I

分类号： H01L33/38(2010.01)I; H01L33/00(2010.01)I;

摘要：本发明提供一种ITO牢固的LED芯片及其制造方法，包括GaAs衬底一侧依次从下往上设置缓冲层、n‑AIGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、p‑AIGaInP限制层和p‑GaP窗口层；p‑GaP窗口层上制作ITO薄膜层，ITO薄膜层上制作金属电极层，GaAs衬底另一侧设置n电极层；金属电极层一部分连接在p‑GaP窗口层上，一部分连接在ITO薄膜层上。本发明公开一种ITO牢固的LED芯片及其制造方法，金属电极层同时与ITO薄膜层和粗糙化的p‑GaP窗口层相连接，避免焊线测试时造成ITO薄膜层脱落，提高整个金属电极层的附着性和完整性，确保发光器件工作电压稳定，提高产品可靠性，提升产品质量和良率。

申请权利人：南昌凯迅光电有限公司;

发明设计人：白继锋; 张银桥; 潘彬;