申请(专利)号： CN201711473627.9

申请日： 2017.12.29

申请公布号： CN108219148A

公开公告日： 2018.06.29

主分类号： C08G77/60(2006.01)I

分类号： C08G77/60(2006.01)I;

摘要：本发明涉及高分子量聚碳硅烷及其制备方法，所述方法包括如下步骤：将聚二甲基硅烷蒸馏再将其与还原性金属粉末混合后升温至320℃～360℃并保温3.8h～4.2h再降至室温，得到液态裂解产物聚硅烷；再加入二乙烯基苯和聚甲基氢硅烷，升温至320℃～360℃并保温1.8h～2.2h，再升温至420℃～460℃并保温5h～7h，然后降至室温，得到聚碳硅烷粗产物；粗产物经二甲苯溶解、过滤后通入氮气，然后升温至420℃～460℃并保温1.8h～2.2h，再降温至320℃～360℃，得到高分子量聚碳硅烷。本发明的制备方法，工艺简单，对设备要求低，容易实现批量合成；产物分子量大，纯度高，合成产率达70％以上。

申请权利人： 南昌嘉捷天剑新材料有限公司;

发明设计人： 吴宝林; 侯振华;