申请(专利)号： CN201510615788.1

申请日： 2015.09.24

授权公布号： CN105200397B

授权公告日： 2018.07.10

主分类号： C23C16/455(2006.01)I

分类号： C23C16/455(2006.01)I; C30B25/14(2006.01)I; C23C16/02(2006.01)I; C30B25/02(2006.01)I;

摘要：本发明公开了一种喷头型MOCVD初始状态的稳定方法及耐氯双层喷头与制作方法，喷头用电火花直接打出III族源与V族源的喷孔，这些喷孔替代了内表面粗糙的不锈钢毛细管喷管，大幅减少了喷气孔内表面积，从而减少了外延的记忆效应；喷头制作时摒弃了不耐氯腐蚀的不锈钢毛细管真空钎焊工艺，所以喷头能耐受氯气在线清洗，从而可确保每炉外延生长初始状态恒定可控，使近耦合喷头型MOCVD能较完美地用于高铝组分的第三代半导体光电器件的批量生产；喷头的冷却水道及III族源与V族源的喷气孔均电火花加工而成，根除了毛细管壁薄漏水的隐患，能满足半导体行业苛刻的密封要求。

申请权利人： 南昌大学;

发明设计人： 方文卿; 王小兰; 莫春兰; 汤绘华; 佟金山; 朱绪元;