申请(专利)号： CN201310730036.0

申请日： 2013.12.26

授权公布号： CN104752568B

授权公告日： 2018.11.02 

主分类号： H01L33/00(2010.01)I

分类号： H01L33/00(2010.01)I; H01L33/06(2010.01)I; H01L33/12(2010.01)I; 

摘要：本发明提供一种改善晶体质量的GaN基LED外延结构的制备方法，在外延生长GaN基LED外延片时在高温烘焙生长衬底时通入一段时间的TMGa源，然后继续高温烘焙生长衬底，在没有增加工艺复杂性的情况下对外延生长的衬底及环境进行了改善，使得整个LED外延层的晶体质量更高，亮度更高，电性良率更好，并且有效减少雾化现象，降低生产成本。

申请权利人： 晶能光电(江西)有限公司; 

发明设计人： 向君; 余小明; 陈振;