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一种直热式碳化钨铼合金阴极的制备方法
发布时间:2018-12-24

申请(专利)号: CN201810710971.3

申请日: 2018.07.03

申请公布号: CN109065422A

公开公告日: 2018.12.21 

主分类号: H01J9/02(2006.01)I

分类号: H01J9/02(2006.01)I; H01J23/04(2006.01)I; 

摘要:一种直热式碳化钨铼合金阴极的制备方法,该方法步骤包括:将金属钨粉和铼粉混合,得到均匀混合的钨铼合金粉末;将所述钨铼合金粉末与1.53wt%硝棉溶液均匀混合,将混合溶液施加于钨丝阴极基底表面,烘烤;将表面施加了钨铼合金粉后的钨丝放入高温氢气炉中,在1500±50℃下保温510分钟,制备得到钨铼合金层;然后,将表面烧结了钨铼合金层的钨丝置于气压为103101Pa的苯气氛中,在钨丝温度为20002400K下进行碳化,碳化时间为0.52分钟,即制备得到直热式碳化钨铼合金阴极。本发明的直热式碳化钨铼合金阴极能够提高磁控管用纯钨丝阴极的发射电流密度,降低纯钨丝阴极的工作温度及表面蒸发率,从而延长阴极及磁控管的寿命。

申请权利人: 九江学院

发明设计人: 漆世锴