申请(专利)号： CN201820983048.2

申请日： 2018.06.25

授权公告号： CN208352330U

授权公告日： 2019.01.08

主分类号： H01L33/44(2010.01)I

分类号： H01L33/44(2010.01)I; H01L33/00(2010.01)I; H01L33/46(2010.01)I;

摘要：本实用新型公开了一种发光波长短于365nm的氮化镓系发光二极管结构，从衬底向上依序包括缓冲层、n型欧姆接触层、有源层、p型势垒层、p型欧姆接触层，以及利用芯片制程方法制作一种至少穿过p型欧姆接触层的窗口层；其中：所述缓冲层、n型欧姆接触层、p型势垒层均由带隙宽度不小于二极管发光光子能量的氮化镓系材料所构成，所述窗口层在外延层表面开口的最大间距范围在1至30um。本实用新型的优点在于：采用在发光二极管上移除部份结构制做窗口层的方式，可减少光被p型欧姆接触层吸收的概率，提升紫外光LED光取出效率,同时，在窗口层上制作导光结构或反射结构,可强化LED光从正向或衬底方向出来的概率。

申请权利人： 江西兆驰半导体有限公司;

发明设计人： 武良文;