申请(专利)号： CN201410123403.5

申请日： 2014.03.31

授权公布号： CN103924116B

授权公告日： 2019.01.08

主分类号： C22C1/10(2006.01)I

分类号： C22C1/10(2006.01)I; B22D27/02(2006.01)I;

摘要：本发明公布了一种低压脉冲磁场作用下改善SiC颗粒在镁基复合材料中分布的方法，先将SiC颗粒加入到镁合金熔体中，搅拌均匀，然后将合金熔体浇注到置于脉冲磁场凝固装置的模具中，使复合材料熔体在低压脉冲磁场作用下完全凝固。本发明的优点是：（1）绿色环保、工艺简单、操作方便、易于控制，成本和投资少，该方法只需要对脉冲磁场的强度和合金的凝固速率进行控制；（2）无污染，脉冲磁场不直接接触合金熔体，不会对熔体产生污染，也不会对环境产生污染。

申请权利人： 南昌航空大学;

发明设计人： 陈乐平; 刘勇; 周全;