申请(专利)号： CN201811112015.1

申请日： 2018.09.25

申请公布号： CN109273559A

公开公告日： 2019.01.25

主分类号： H01L31/18(2006.01)I

分类号： H01L31/18(2006.01)I; H01L31/0236(2006.01)I;

摘要：抛光处理晶体硅片表面技术在太阳电池制备中的应用，其特征是在单晶硅或多晶硅太阳电池制备过程中，将清洗制绒工序中的制绒步骤改用抛光。本发明可减少硅片表面的复合损耗、载流子在发射极层或TCO层等中的传输损耗和阻碍，提高太阳电池的开路电压、短路电流、填充因子和转换效率；大大减少化学试剂的用量，降低工艺控制的难度并提高产品的均匀性和一致性。可减少微观裂纹，降低生产中的破片率和组件生产的隐裂；并且由于抛光的刻蚀量小于制绒的刻蚀量，所以可采用更薄的硅片，硅片厚度可减少10微米，可节省硅片部分成本10‑15%；可减少组件中焊带等所导致的系统串联电阻的影响以及系统连接用导线中的传输损耗。

申请权利人： 南昌大学;

发明设计人： 黄海宾; 周浪; 孙喜莲;