申请(专利)号： CN201811084883.3

申请日： 2018.09.18

申请公布号： CN109320944A

公开公告日： 2019.02.12 

主分类号： C08L75/04(2006.01)I

分类号： C08L75/04(2006.01)I; C08K7/00(2006.01)I; C08K5/43(2006.01)I; C08K9/10(2006.01)I; C08K7/18(2006.01)I; C08J5/18(2006.01)I; H05K9/00(2006.01)I; 

摘要：本发明提供了一种工频下高介电常数屏蔽膜及其制备方法，该屏蔽膜由热固性高分子树脂与花边形状软磁粉复合而成，并含有硫氰酸乙酯，其中硫氰酸乙酯所占的质量百分比为0.1％～10％。屏蔽膜通过将热固性高分子树脂溶解，并将软磁粉加入到溶解的高分子树脂中，搅拌均匀形成浆料，在体系中加入硫氰酸乙酯，并将混合浆料体系搅拌均匀后在离型基质上刮涂成膜、烘干固化制得。所制得的屏蔽膜在工频下具有显著较高的介电常数和正切损耗，同时直流电阻达到10的5次方欧姆以上，能够解决现有技术中容易产生电势差以及对电磁场的反射的问题。

申请权利人：国网江西省电力有限公司电力科学研究院; 国家电网有限公司; 南京先磁新材料科技有限公司; 

发明设计人： 刘平; 王鹏; 王悦; 代小敏; 伍发元; 徐锐;