申请(专利)号：CN201611168629.2

申请日：2016.12.16

授权公布号：CN106757331B

授权公告日：2019.03.08

主分类号：C30B28/06(2006.01)I

分类号：C30B28/06(2006.01)I; C30B29/06(2006.01)I;

摘要：本发明提供了一种多晶硅锭的制备方法，包括：提供坩埚，在坩埚底部设置形核剂层；在形核剂层上设置硅块或硅颗粒形成架空层，架空层在垂直于坩埚底部的方向上设有贯通的空隙，架空层的高度不小于10mm；在架空层上铺设硅片，硅片覆盖空隙形成覆盖层，然后在覆盖层上填装硅料；加热使硅料熔化形成硅熔体，当覆盖层熔化时，硅熔体通过空隙流向形核剂层的表面，在形核剂层表面形核形成形核层；待覆盖层完全熔化后立即进入长晶阶段，硅熔体在形核层的基础上开始长晶；待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。本发明提供的多晶硅锭的制备方法提高了全熔法铸造多晶硅锭的形核稳定性和形核效率。本发明还提供了一种多晶硅锭。

申请权利人：赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司;

发明设计人：雷琦; 胡动力; 何亮; 鄢俊琦;