申请(专利)号：CN201611022509.1

申请日：2016.11.21

授权公布号：CN106498368B

授权公告日：2019.04.23

主分类号：C23C16/455(2006.01)I

分类号：C23C16/455(2006.01)I;

摘要：本发明公开了一种用于MOCVD设备的喷淋头，包括多个互相隔离的进气室、相应的进气管道以及位于喷淋头中心的尾气导管。由于喷淋头同时具有进气导管和尾气导管，反应气体经喷淋头的进气导管从上向下喷入反应腔，最终经喷淋头中心的尾气导管从下向上抽出，反应腔内气体沿径向从外侧向中心流动，可大幅减少反应物沿程损耗的不利影响，有利于获得良好的外延生长均匀性。多个相互隔离的进气腔可选择性地输运第一、第二或者第三反应气体，通过选择进气腔合适的排列组合可以大幅提升金属有机气体的利用率，基本消除反应腔的侧壁的反应物沉积。

申请权利人：南昌大学; 南昌硅基半导体科技有限公司;

发明设计人：曹盛; 徐龙权; 张建立; 全知觉; 赵鹏; 罗磊; 江风益;