申请(专利)号：CN201710592848.1

申请日：2017.07.19

授权公布号：CN107394006B

授权公告日：2019.07.16

主分类号：H01L31/18(2006.01)I

分类号：H01L31/18(2006.01)I; H01L31/068(2012.01)I;

摘要：本发明提供了一种N型双面电池制备方法，包括：对经过损伤处理的N型硅片进行双面反应离子刻蚀，以在表面制备纳米绒面；对N型硅片的背面通过SiOx‑SiNy掩膜处理后，对正面进行硼扩散；然后经HF溶液去除背面SiOx‑SiNy掩膜层后，再对正面SiOx‑SiNy掩膜；之后在背面进行SiO2层生长；以SiO2层作为掩膜层，在主栅下进行点开孔处理以形成N++窗口，经弱碱液处理去除开孔残留损伤；在N型硅片的背面进行单面磷扩散，在开孔处形成N++层，其他区域形成N+层；对N型硅片进行边缘隔离后进行HF处理，去除正面的SiOx‑SiNy掩膜、硼硅玻璃及背面的磷硅玻璃，再经RCA清洗；将N型硅片的正面和背面分别经Al2O3/SiNx与叠层钝化，经丝网印刷后进行烧结。本发明能够提高Uoc、Isc、FF，进而提高电池正面的光电转化效率。

申请权利人：晶科能源有限公司; 浙江晶科能源有限公司;

发明设计人：廖晖; 王海涛; 包健; 李林东; 陈伟; 金浩;