申请(专利)号：CN201910349059.4

申请日：2019.04.28

申请公布号：CN110055051A

公开公告日：2019.07.26

主分类号：C09K11/02(2006.01)I

分类号：C09K11/02(2006.01)I; C09K11/88(2006.01)I; H01L51/50(2006.01)I; H01L51/54(2006.01)I;

摘要：本发明一种应用于发光二极管的多壳层量子点的制备方法包括CdSe/CdS量子点、CdSe/CdS/CdZnS量子点和CdSe/CdS/CdZnS/ZnS量子点制备步骤。本发明采用在核壳结构量子点中引入晶格失配比较小的中间层，以及具有成分梯度合金核壳结构的量子点作为发光层的合成方法，并应用于量子点发光二极管器件。通过降低晶格失配以及提升量子点的量子产率和稳定性，使器件的发光性能得到显著提高。本发明引入晶格失配比小的中间壳层及包覆厚壳层的量子点作为发光层材料，制备方法简便，易工业化生产，生产成本低，实用性强，可为人们的生活创造更高效的照明光源与显示器件。

申请权利人：南昌航空大学;

发明设计人：张芹; 孙浩; 赵文天; 杨文学; 张余宝; 黎芳芳; 秦元成;