申请(专利)号：CN201710062849.5

申请日：2017.02.03

授权公布号：CN106784030B

授权公告日：2019.08.09

主分类号：H01L31/02(2006.01)I

分类号：H01L31/02(2006.01)I; H01L31/0232(2014.01)I; H01L31/0352(2006.01)I;

摘要：本发明公开了基于金属膜层‑半导体共振腔复合结构的多频段光完美吸收器，本发明是一种新颖的多频段光吸收器，入射光不被整体结构为高反射的连续金属膜层覆盖所影响进而产生了吸收率达99%的光完美吸收，同时由于吸收器结构被具有优异电导电学特性的金属膜层100%包裹，因此该吸收器在电导特性上能同样提供完美的电学响应比如电阻小于0.1欧姆/sq。本发明同时具有的优良的光学和电学特性以及技术方案突破了现有技术不能同时实现高光吸收和高电导特性的结构设计缺陷，而且引入的半导体材料结合光吸收器的结构紧凑，易于加工和制备等特性，对发展高性能光电检测和热电子激发和收集、多频段滤波和成像等具有很好的应用前景和产生不可估量的作用。

申请权利人：江西师范大学;

发明设计人：刘正奇; 刘桂强;