申请(专利)号：CN201810106850.8

申请日：2018.02.02

授权公布号：CN108470807B

授权公告日：2019.10.29

主分类号：H01L33/14(2010.01)I

分类号：H01L33/14(2010.01)I;

摘要：本发明提供了一种半导体发光二极管的外延装置，该装置包括依次接触的N电极、N型半导体接触层、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层、P型半导体接触层和P电极；所述N电极与N型半导体接触层之间的界面接触电阻，通过N型半导体接触层的掺杂浓度进行调节；或P电极与P型半导体接触层之间的界面接触电阻，通过P型半导体接触层的掺杂浓度进行调节。本发明在半导体的表面与金属电极接触的界面改善电流扩展，由于金属与半导体的接触非常敏感，界面的电导性易于调控，外延中仅需很薄的一层，就可以实现电流扩展的显著改善，且器件电压的升高幅度较小。

申请权利人：南昌大学; 南昌硅基半导体科技有限公司;

发明设计人：刘军林; 吴小明; 莫春兰; 张建立; 王小兰; 江风益;