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在MnCoGe基合金中实现磁结构耦合相变的方法
发布时间:2020-06-16

申请(专利)号:CN201810139742.0

申请日:2018.02.11

授权公布号:CN108300882B

授权公告日:2019.12.13

主分类号:C22C1/02(2006.01)

分类号:C22C1/02(2006.01); C22C30/00(2006.01); C22F1/00(2006.01);

摘要:本发明公开了一种通过调节元素比例调控获得MnCoGe基合金磁结构耦合相变的方法,具体通过利用不同元素间电负性的差异,调节过渡元素和主族元素之间的比例,设计合金成分,改变MnMn间距和Mn原子局域磁矩,从而获得温度和磁场诱导的剧烈的磁结构耦合相变。本发明中提供的MnCoGe基合金具有剧烈的磁结构耦合相变,磁性能优异,合金制备方法简单方便、能源消耗少,制备成本低,适合工业化生产。

申请权利人:江西理工大学;

发明设计人:马胜灿葛青刘凯韩幸奇宋颖钟震晨;

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